三星已经讨论了其未来 3D NAND 技术在其 SSD 中提供高达 PB 容量的计划，尽管它们可能会在十年后出现。

三星电子在未来十年内为其 3D NAND 技术实现五级单元缩放

在今年的中国闪存市场峰会 (CFMS2023)上，三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison 等其他知名闪存公司一同出席。三星电子以“闪存的再进化，迈向新时代”为题与现场观众进行了交流。该讨论强调了该公司的高级内存容量的能力以及通过其 3D NAND 闪存实现如此高容量的努力。

三星电子 NAND 产品规划组副总裁兼总经理 Kyungryun Kim 解释说，三个层次的技术——物理缩放、逻辑缩放和封装技术——不仅在不断发展，而且理论上能够达到 1 PB 的容量，或 1,024 太字节 (TB)。然而，按照今天当前的技术标准，该公司将无法再过 10 年实现这一目标。此外，该公司正在寻求将四级单元技术用于更多存储设备，并专注于使该技术更加熟练。

在讨论达到五级容量的演进路径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe 5.0固态硬盘(SSD)。新的 PM1743 系列的能效比以前的型号高出 40%，并且已经过测试与 Intel 和 AMD PCIe Gen 5 平台兼容。

三星在讨论其技术进步时总是有些沉默，尤其是 3D NAND 内存。该公司正在继续寻找方法，以更广泛的采用率将四级单元 3D NAND 设备推向公众。三星认为专注于更新的控制器技术将实现这些目标。目前，该公司在物理上扩展了 3D NAND 设备。然而，该公司需要研究逻辑扩展，以让存储设备访问超过一千层。逻辑缩放将允许增加每个单元格中存储的信息位数。

尽管该公司一直对其技术保持沉默，但其竞争对手铠侠对其发展却更加透明。该公司于 2019 年推出了五级单元 3D NAND 存储器，每个单元最多可存储五位 (5 bpc)。两年后，Kioxia 超越了 5 bpc 技术，达到了 6 bpc。该公司表示，他们还在研究是否可以将速度提高到 8 bpc，从而创建八级单元 3D NAND 存储设备。目前，该公司尚未达到这样的长度。

每个单元存储多个位对许多 3D NAND 制造商提出了许多挑战。识别能够存储各种电压状态同时又能够区分它们以防止干扰的材料是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外，他们还需要开发纠错技术，以便在每个单元的位数增加时保持数据完整性。